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时间 2020-01-09 15:14:24
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鑫彩网这个平台有多久·打破美日韩垄断!国产3D NAND成功研发:2年投入1000人10亿美金

鑫彩网这个平台有多久·打破美日韩垄断!国产3D NAND成功研发:2年投入1000人10亿美金

鑫彩网这个平台有多久,近年来,中国在半导体领域的发展可谓是突飞猛进。随着国产智能手机的崛起,国产芯片也取得了出色的成绩,特别是在核心的处理器和通讯芯片上。但是,在存储芯片领域,中国的发展相对滞后,这块市场也一直被美日韩厂商所垄断。不过,随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持,以及众多国产存储芯片厂商的努力,这一局面正在改变。近日,国产存储芯片领域再获突破,长江存储已成功研发32层3d nand。

3d nand成国产厂商弯道超车机会

从去年开始,三星、sk hynix、东芝、intel、美光等存储芯片大厂都在积极的由2d nand全面转向3d nand,目前这些厂商都已开始量产32层甚至64层的3d nand。相比之下,中国的国产存储芯片过去还几乎是一片空白,市场长期被韩国、日本、美国厂商垄断。不过随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持,以及国产存储芯片厂商的努力,这一局面正在改变。

2016年3月28日,总投资240亿美元的“国家存储器基地”在武汉正式启动。“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。将建设3座全球单座洁净面积最大的3d nand flash fab厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

2016年7月26日,“国家存储器基地”项目的核心载体——长江存储科技有限责任公司正式成立,法人代表为紫光集团董事长赵伟国。同时,武汉新芯成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。

12月30日,“国家存储器基地”项目正式开工。

2017年2月,长江存储与中国科学院微电子研究所联合承担的3d nand存储器研发项目取得新进展。32层3d nand芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

今年6月,长江存储的产房提前封顶。11月中旬,长江存储已成功研发32层3d nand flash芯片,长江存储原本规划12月底才提供32层3d nand样本,然该颗芯片样本提前出来,且第一版就通过终端实测,象征研发获得重大突破。

根据长江存储的规划,预计在2018年下半年正式开始3d闪存生产,初期产能5000片晶圆/月,不过一旦解决良率问题,后续就会大规模量产,武汉基地的设计产能最终可以达到30万片晶圆/月,未来足以比肩sk hynix、东芝这样的公司的产能。

据业内人士透露,长江存储已预订5000片产能的机台设备,预计2018年第二季度投入市场。

首款国产32层3d nand存储芯片曝光:价值10亿美元

11月19日,央视财经频道《对话》栏目播出了与紫光集团董事长赵伟国的采访对话。节目中,赵伟国首次展示了首款国产32层3d nand存储芯片。赵伟国表示,“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64g存储芯片,是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

值得注意的是,长江存储重点聚焦的是64层3d nand芯片。如果一切进展顺利,长江存储2019年开始量产64层的3d nand闪存,届时他们与三星等大厂的差距就可缩短在2年以内。

编辑:芯智讯-林子

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